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巴塞爾大學(xué)教授dominikzumb hl和同事成功地將納米電子芯片的溫度冷卻到2.8毫米開爾文，也就是約為負(fù)273.15。

研究人員表示，磁冷卻基于以下原理:當(dāng)外加磁場逐漸減少時(shí)，系統(tǒng)逐漸冷卻，不產(chǎn)生來自外部的熱流。

在減小磁場之前，有必要用其他方法吸收磁化產(chǎn)生的熱，得到比較有效的磁冷卻。 這就是我們?nèi)绾纬晒Φ貙⒓{米電子芯片冷卻至2.8毫開爾文，實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的低溫。

zumb hl教授和同事組合了這兩個(gè)冷卻系統(tǒng)，這兩個(gè)冷卻系統(tǒng)都基于磁冷卻。

他們把芯片的所有導(dǎo)電連接冷卻到150微開爾文(從0度到不到1000分之一度)。

然后，將第二個(gè)冷卻系統(tǒng)直接應(yīng)用于芯片本身，放入庫侖塊溫度計(jì)。 根據(jù)溫度計(jì)的結(jié)構(gòu)和材料，通過磁冷卻可以降低到2.8毫米開度。

zumb hl教授說，兩個(gè)冷卻系統(tǒng)結(jié)合起來，可以將芯片冷卻到3毫米開爾文以下(約為負(fù)273.15 )。 我們樂觀地認(rèn)為，同樣的做法可以達(dá)到1毫開爾文。

科學(xué)家們說:“我們可以將芯片保持在7個(gè)小時(shí)的超低溫。 這是非常好的事情。 科學(xué)家有足夠的時(shí)間進(jìn)行許多探索實(shí)驗(yàn)，有助于了解接近零度時(shí)的物理學(xué)特征。